Разделы сайта:

После ремонта электронных блоков СТД необходимо провести их настройку и проверку работоспособности. Прежде всего производят контроль внешнего вида с целью выявления видимых повреждений внутриблочного электрического монтажа, паек, разъемов, элементов и деталей внутри блоков. Прозвонку монтажных цепей производят при вынутых платах. Проверка функционирования блоков производится с целью определения соответствия входных и выходных сигналов, а также потребления тока по цепям питания. Определение параметров блоков осущест-

вляется проверкой функционирования, измерением статических., ц динамических параметров. Проверка цепей питания может быть совмещена с проверкой функционирования блока. Статический метод определения параметров является основным.bhJ дом проверки блоков, позволяющим выявить работоспособность блока в заданных режимах и определить запас его помехоустойчивости! К статическим параметрам относятся уровни выходных сигналов, то| ки, потребляемые входами при подаче на них сигналов, токи нагрузи ки, токи в цепях питания. Измерение статических параметров осущест! вляется на более низких частотах предельной частоты. Проверка работоспособности блока производится согласно таблице рабочих режимов. Одной из задач проверки электронных блоков СТД является наст! ройка их помехоустойчивости. Работу схем приборов, например, на выходе усилителя, часто нарушает фон переменного тока, который можно наблюдать на экране осциллографа. Для выяснения источника фона следует определить частоту этого напряжения и в зависимости от ее величины проверить различные цепи схемы либо принять меры по раз! вязке каскадов. Для фильтрации внешних помех длительностью до 20...50 мс тре| буется обеспечить достаточно большую постоянную времени вход?] ных согласующих элементов в цепях связи и питания, а также экрани| ровать и выделять эти цепи в отдельные жгуты. Большинство электронных схем СТД имеют во входной цепи у с илитель * входны х сигналов . Его настройка и проверка производится с помощью осциллографа и вольтметра снятием основ* ных характеристик — амплитудной и частотной, а также определен нием коэффициента усиления. При проверке блок а питани я проводят внешний осмотр электрического монтажа, проверку соцротивления изоляции, контроль соответствия выходного напряжения заданному при номинальных значениях напряжения питания и сопротивления нагрузки. При этом определяют коэффициент стабилизации блока питания при изменении выходного напряжения в пределах ±15%, а также величину пульса ции выпрямленного напряжения. Электронные схемы основных типов СТД включают следующий элементы: интегральные микросхемы, полупроводниковые элементы (диоды, тиристоры, транзисторы и т. п.), резисторы, конденсаторы! реле, коммутационные устройства и т. п. Наиболее сложными уст| ройствами являются микросхемы и полупроводниковые элементьн Интегральны е микросхем ы (цифровые и аналоговый обычно оценивают по параметрам входного и выходного напряжения! тока, потребляемой мощности, частоте полосы пропускания, времени задержки импульса, коэффициенту усиления и т. п. В цифровых интегральных микросхемах при измерении входных и выходных напряжений на вход микросхемы подают постоянное йщ пряжение и одновременно переменное напряжение частотой, знгчЩ тельно меньшей предельной частоты проверяемой микросхемы. Плавно изменяя постоянное напряжение на входе микросхемы от уровня «Й Ё

гического нуля 1/®0р Д° уровня логической единицы t/iop, определяют момент срабатывания схемы сравнения. Дл я измерения выходного напряжения Uвы х логического нуля на все объединенные входы инвертирующей микросхемы подают напряжение U*0р, в неинвертирующей микросхеме на один выход подают U„ор, а на остальные — напряжение логической единицы U\x. На выходе микросхемы подключаются генератор, задающий ток нагрузки, и вольтметр для измерения напряжения логического нуля . Дл я измерения выходного напряжения логической единицы UIых напряжение t/J o p меняется на f/®0р. На выходе микросхемы определяется напряжение и\ ы х при заданном токе нагрузки. Одновременно определяется входной и выходной токи и ток потребления. Дл я измерения тока потребления от источника питания на выходе микросхемы обеспечивается низкий уровень напряжения при соответствующем сопротивлении нагрузки, а на все объединенные входы инвертирующих схем подают напряжение (/ вх , а на входы неинвертирующих схем — i/*x . В аналоговых интегральных микросхемах измерение входного 1/вх и выходного (/ вых напряжений проводят в заданном режиме измерителями напряжения, подключенными соответственно к входным и выходным цепям. При измерении максимального и минимального входного напряжения на вход микросхемы подают импульсное напряжение (от генератора сигналов) с параметрами, указанными в ТУ, и, плавно увеличивая (уменьшая) напряжение (/ вх , устанавливают f/BbIX, равное указанному в ТУ. Измерение максимального и минимального значений выходного напряжения осуществляют аналогично изложенному выше, с той лишь разницей, что установку напряжения в соответствии с ТУ производят на входе микросхемы. Для измерения максимального и минимального значения входного тока устанавливают соответственно максимальное и минимальное значения ?/вых при заданном номинальном значении сопротивления нагрузки 7?н. Затем RH меняется на в соответствии с заданным в ТУ и определяется максимальный выходной ток. Ток короткого замыкания определяют при замкнутом накрротко выходе микросхемы, а ток холостого хода — при разомкнутом выходе. Полупроводниковы й дио д широко применяется для выпрямления переменных напряжений в различных измерительных цепях. Наиболее распространены в настоящее время германиевые и кремниевые сплавные диоды. Параметрами полупроводниковых выпрямительных диодов являются среднее значение прямого и обратного токов (меняется для различных типов от нескольких миллиампер до сотен ампер); среднее значение падения напряжения в прямом направлении (от 0,1 до 1 В при наибольшем выпрямлении тока); допустимое обратное напряжение U0gp. Самая простая проверка исправности диода осуществляется с помощью обычного пробника или омметра. При этом, чтобы не превысить напряжение пробоя ?/пр, необходимо использовать омметр, имеющий питание 1,5...2 В. Дл я силовых и точечных диодов это условие необязательно, так как U0бр^10 В. Однако для диодов СВЧ Uo6v^l В, поэтому проверка их исправности при напряжении питания 1,5 В

при длительном измерении может привести к пробою диода. Полное! представление о свойствах и возможностях диода дает его вольт-ампер,] ная характеристика. Основные параметры транзистор а можно проверить с по| мощью генератора, моста переменного тока и осциллографа. Самая простая проверка исправности транзистора осуществляется с помощью) обычного омметра, имеющего питание не более 10 В. В электронных! схемах СТД транзистор обычно применяется в качестве управляемых! ключей. В этом случае переключаемым участком является участок эмиттер — коллектор, управле! ние им осуществляется через | базу. Тиристо р обладает дву | мя устойчивыми состояниями в прямом направлении и запи! рающими свойствами в обрат-f ном. На рис. 5.7 приведена cxei ма для снятия основных харак-| теристик тиристора — отпирающего тока и напряжения. Питай ние на тиристор VD подается от стабилизированного выпрямите* ля. С помощью потенциометра R2 на выходе источника питания устанавливают постоянное напряжение 12 В. Сопротивление токоограничительного резистора R выбирается из условия надежного включения тиристора. С помощью потенциометра R1 увеличивают напряжение между катодом и управляющим выводом до момента переключения тиристора, фиксируемого по снижению показаний вольтметра VI до минимального значения. Измеренное вольтметром VI напряжение и ток управления, измеренный миллиамперметром мА1 в момент переключения, являются отпирающими.